Products category

Main parameters

NPN Silicon general purpose power transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 50 ～ 800mA

V CEO ： 20 ～ 60V

PNP Silicon general purpose power transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 100 ～ 800mA

V CEO ： 24 ～ 60V

NPN Silicon amplifying transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 100mA

V CEO ： 35 ～ 50V

PNP Silicon amplifying transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 50mA

V CEO ： 45V

NPN Silicon high frequency transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 25 ～ 100mA

V CEO ： 11 ～ 25V

NPN Silicon high voltage transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 50 ～ 500mA

V CEO ： 40 ～ 330V

PNP Silicon high voltage transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 500mA

V CEO ： 150 ～ 300V

NPN Silicon switching transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 200mA

V CEO ： 15V

PNP Silicon switching transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 80mA

V CEO ： 12V

NPN Silicon driving transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 500mA

V CEO ： 60 ～ 80V

PNP Silicon driving transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 500mA

V CEO ： 60 ～ 80V

NPN Silicon Darlington transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 300mA

V CEO ： 30V

PNP Silicon Darlington transistor

P tot ： 225mW

Ic ： 500mA

V CEO ： 30V

N-channel TMOS field effect transistor

P tot ： 225mW

I D ： 115mA

V DSS ： 60V

g FS ≥80 mmhos

Silicon switching diode

I F ： 100 ～ 300mA

V R ： 35 ～ 200V

T rr ： 4.0 ～ 50ns

I R ： 0.1 ～ 5.0 µ A

Silicon Schottky diode

I F ： 100 ～ 200mA

V R ： 30V

T rr ： 5.0ns

I R ： 20 µ A

Silicon zener diode

P tot ： 225mW

V Z ： 2.4 ～ 7.5V

r z ： 0.1 ～ 240 Ω

I R ： 0.05 ～ 100 µ A

Products category

Main parameters

BZ × 49series zener diode

P D ： 330Mw

V z ： 2.5 ～ 50V

R z ： 10 ～ 170 Ω

I F ： 250mA

NPN middle power transistor

P tot ： 0.5mW ～ 1W

I c ： 50 ～ 800mA

V CEO ： 25 ～ 400V

PNP middle power transistor

P tot ： 1mW ～ 1W

I c ： -1.5mA ～ -1A

V CEO ： -400V ～ -20V

Three-terminal voltage regulator

I O ： 0.15A

P D ： 500mW

V O ： 5 ～ 24V

Products category

Main parameters

Switching diode

V R ： 70 ～ 200V

I F ： 200mA

I R ： 0.1 ～ 5 µ A

t rr ： 4 ～ 50ns

Band-switching and PIN diode

V R ： 50 ～ 200V

I F ： 20 ～ 100mA

I R ： 0.01 ～ 0.1 µ A

C T ≤ 1pF

Schottky diode

V R ： 20 ～ 40V

I F ： 30 ～ 500mA

I R ： 0.5 ～ 100 µ A

C T ≤ 1pF

Tuning siode

V (B) ： 20 ～ 30V

C T ： 1.5 ～ 25pF

Q ≥ 200

Zener diode

V z ： 2.4 ～ 75V

r z ： 10 ～ 225 Ω

I R ： 0.05 ～ 50 µ A

C T ≤ 450pF

Variable capacitance diode

V R ： 30 ～ 34V

C d ： 2.0 ～ 53pF

I R ： 0.57 ～ 2 µ A

I R ≤ 10nA

Products category

Main parameters

NPN General Purpose transistor

P c ： 1.3 ～ 20W

I c ： 1 ～ 10A

V CEO ： 20 ～ 160V

PNP General Purpose transistor

P c ： 1.3 ～ 20W

I c ： -10 ～ 1A

V CEO ： -160 ～ -20V

NPN Darlington transistor

P c ： 20W

I c ： 2A

V CEO ： 100V

PNP Darlington transistor

P c ： 20W

I c ： -2A

V CEO ： -100V

NPN Switching transistor

P c ： 10 ～ 15W

I c ： 2A

V CEO ： 50V ～ 400V

NPN witching transistor

P c ： 10 ～ 15W

I c ： -2A

V CEO ： -50V ～ -400V

Products category

Main parameters

NPN General Purpose transistor

P c ： 1.3 ～ 1.8W

I c ： 1 ～ 10A

V CEO ： 20 ～ 160V

PNP General Purpose transistor

P c ： 1.3 ～ 1.8W

I c ： -10 ～ 1A

V CEO ： -160 ～ -20V

NPN Switching transistor

P c ： 10 ～ 15W

I c ： 2 ～ 5A

V CEO ： 50 ～ 400V

NPN Switching transistor

P c ： 10 ～ 15W

I c ： -2 ～ -5A

V CEO ： -50 ～ -400V

NPN Darlington transistor

P c ： 20W

I c ： 2A

V CEO ： 100V

PNP Darlington transistor

P c ： 20W

I c ： -2A

V CEO ： -100V

0.25A Three-terminal voltage regulator

I o ： 0.25A

P D ： 12W

VO ： 4.5 ～ 16.5V

1A Three-terminal voltage regulator

I o ： 1A

P D ： 12W

VO ： 4.8 ～ 25V

1A Three-terminal voltage regulator

I o ： 1A

P D ： 12W

VO ： -5 ～ -24V

1A Low voltage drop voltage regulator

I o ： 1A

P D ： 1.3W

VO ： 2.5 ～ 15V